不同濃度的表面活性劑PEG6000、SDS脅迫培養對細菌生長的影響【下】
2.2 SDS脅迫培養對4株細菌生長曲線的影響
由圖5～圖8可看出，SDS對4株細菌的生長影響較大，本實驗SDS>0.4g/L后對4株細菌的生長都表現為抑制作用，與雷鳴[11，12]等人研究結果類似，其結果表明表面活性劑質量濃度>0.5g/L時，微生物種群數量降低。SDS對納豆芽胞桿菌的生長具有較大的影響，即使在0.2g/L的低濃度下也不能使菌體正常生長[13]，本實驗中當SDS濃度為0.2g/L時，4株細菌在一段時間內生長明顯受到抑制，后期對SDS表現出不同的適應能力：枯草芽孢桿菌40脅迫培養40h后開始有生長，大腸桿菌與變形桿菌脅迫培養56h后出現生長現象，而簡單芽孢桿菌對SDS脅迫環境適應能力較弱，直至88h后才開始生長。4株細菌在初期培養過程中對一定濃度SDS(本實驗為0.2g/L)耐受性較弱的菌群大量死亡，少量耐受性較強的菌群由于外界環境變化所造成的環境脅迫會誘惑其產生保護或適應機制來適應環境變化，從而使其生存能力提高，導致細菌數量大量增加[14]。枯草芽孢桿菌是用于研究芽孢萌發的模式微生物，對其芽孢萌發的特點及機制[15，16]較多，環境因素會影響芽孢萌發，同時芽孢在其他因子，如溶菌酶、鹽、高壓、2，6吡啶二羧酸鈣(Ca+-DPA)以及陽離子表面活性劑作用下也能萌發。實驗中選擇的簡單芽孢桿菌是從濕地植物-香蒲根際經過HCB多次脅迫培養篩選分離到的內生細菌，研究[17]發現該菌株芽孢形成時間較早，基礎培養基上培養16h即出現芽孢，這一特征有別于其他芽孢桿菌(枯草芽孢桿菌為46h)。其他生物學特性還在進一步研究中，芽孢萌發“多信使，多受體”假說認為超表達芽孢的萌發受體能增加萌發速率，而低表達則會出現深度休眠芽孢[18]，簡單芽孢桿菌在脅迫環境中是否產生了深度休眠芽孢導致其在SDS(0.2g/L)環境中芽孢的萌發延遲還需深入研究，該菌株在本實驗中芽孢萌發時間為80h。
圖5 SDS脅迫下枯草芽孢桿菌生長曲線
圖6 SDS脅迫下簡單芽孢桿菌生長曲線
圖7 SDS脅迫下大腸桿菌生長曲線
圖8 SDS脅迫下變形桿菌生長曲線
實驗結果表明，SDS在低濃度下(本實驗為0.2g/L)對4種細菌的生長前期有明顯的抑制作用，說明SDS的毒性比PEG6000更強，SDS濃度為0.4g/L時，4株細菌的生長已經完全被抑制。研究[19，20]認為兩類細菌對外界污染的敏感程度不同，G+比G-更敏感，原因是兩類細菌結構及成分有差異，導致其解毒抗性能力不同，對不良環境的適應能力也不同。
3結論
3.1 4株細菌對兩種表面活性劑的敏感性不同
PEG6000(濃度：0、0.5、1.0、1.5、2.0g/L)和SDS(濃度：0、0.2、0.4、0.6、0.8g/L)對簡單芽孢桿菌、枯草芽孢桿菌及大腸桿菌都有抑制作用，其中PEG6000有抑制現象但3株細菌還有生長，SDS濃度>0.4g/L 3株細菌的生長完全停止，SDS濃度為0.2g/L時培養一段時間3株細菌數量開始增加，應該是遺傳變異所致；變形桿菌對PEG6000和SDS表現有差異，該實驗濃度條件下PEG6000促進變形桿菌的生長，變形桿菌在SDS(0.4g/L、0.6g/L、0.8g/L)條件下生長完全被抑制，試驗發現4種細菌在PEG6000和SDS的脅迫作用下，G+比G-更敏感。
3.2不同的表面活性劑對微生物的毒性有明顯差異
實驗通過測定陰離子表面活性劑(SDS)和非離子表面活性劑PEG6000對4株細菌脅迫后生長曲線的變化后發現，低濃度(0.2g/L))的SDS對細菌的生長表現出明顯的抑制作用，當SDS濃度>0.4g/L后對4株細菌的生長完全抑制；相對高濃度(2.0g/L)的PEG6000對細菌生長也有抑制作用，變形桿菌在此濃度下表現為促進作用，兩種表面活性劑對4種細菌的毒性順序為SDS>PEG6000。
不同濃度的表面活性劑PEG6000、SDS脅迫培養對細菌生長的影響【上】
不同濃度的表面活性劑PEG6000、SDS脅迫培養對細菌生長的影響【下】
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